HITACHI日立灯丝靶材06E-6899青岛平山技研刘15621198049

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IM4000II是日立离子铣削设备的标准型号，可用于横截面铣削和平面铣削（平面铣削 *1它与 . 各种选项，如冷却温度控制和气氛隔离支架单元，可实现各种样品的横截面样品制备。*1平面铣削（R）是 Hitachi High-Tech Co.， Ltd. 在日本的注册商标。本产品受基于《加强中小企业…

分类: 仪器仪表类,

产品详情

IM4000II是日立离子铣削设备的标准型号，可用于横截面铣削和平面铣削（平面铣削^{® *1}它与 . 各种选项，如冷却温度控制和气氛隔离支架单元，可实现各种样品的横截面样品制备。

*1平面铣削（R）是 Hitachi High-Tech Co.， Ltd. 在日本的注册商标。

本产品受基于《加强中小企业管理法（生产率提高设备（A 型））》的支持措施的约束。

IM4000II配备了离子枪，可实现 500 μm/h*1 或更高的截面铣削速率。它对硬质材料的横截面样品制备有效。

*1加速电压为 6 kV，最大加工深度为 1 小时，硅从掩模边缘突出 100 μm

样品：硅晶片（2 mm 厚）加速
电压：6.0 kV 摆动
角：±30° 铣削
时间：1 小时

当截面铣削过程中的摆动角度发生变化时，加工宽度和加工深度也会发生变化。下图显示了 Si 晶片在 ±15° 摆动角下的横截面铣削结果。除摆动角度外，加工条件与上述相同。与上述结果相比，可以看出加工深度更深。
它对于具有感兴趣深结构的样品的快速横截面制备非常有效。

样品：硅晶片（2 mm 厚）加速
电压：6.0 kV 摆动
角：±15° 铣削
时间：1 小时

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